純凈度遠遠高于優(yōu)級純的化學試劑叫做高純度實驗試劑。是在通用性實驗試劑基本上發(fā)展壯大下去的，是為了更好地專業(yè)的應用目地而用獨特方式生產(chǎn)制造的純凈度高的實驗試劑。高純度實驗試劑操縱的是殘渣項成分，標準實驗試劑操縱的是主成分，標準實驗試劑可以用規(guī)范溶液的配制，但高純度實驗試劑不可以用以規(guī)范溶液的配制（化合物金屬氧化物以外）。
現(xiàn)階段在國際性上也無統(tǒng)一的確立規(guī)格型號，在我國除對極少數(shù)商品制訂了行業(yè)標準外，絕大多數(shù)高純度實驗試劑的檢測標準還很不統(tǒng)一，在名字上也是有高純度、超純、特純、光譜儀純、電子器件純等不一樣稱呼。一般以9來表明商品的純凈度。故在規(guī)格型號欄招標以2個9、3個9、4個9依此類推，依據(jù)這一標準可將高純度化學物質(zhì)分成：
殘渣總成分不得超過1.5×10-2%，其純凈度為3.5個9（99.95）縮寫為3.5N
殘渣總成分不得超過1.0×10-2%，其純凈度為4個9（99.99）縮寫為4.0N
殘渣總成分不得超過1.0×10-3%，其純凈度為5個9（99.999）縮寫為5N
對高純度實驗試劑或高純度原素純凈度或殘渣成分的檢測，一般常見原子吸收光譜、分子光譜分析法、色譜儀、質(zhì)譜分析色度化學成分分析等方式 開展測量。其陽離子規(guī)格型號正常情況下參考實驗試劑優(yōu)等品規(guī)范，沒有優(yōu)等品規(guī)范的商品由制造企業(yè)自主制訂。依據(jù)應用領(lǐng)域不一樣，把高純度實驗試劑又分為幾類：
一般離純化學試劑：
就是指一些高純度化合物金屬材料、金屬氧化物、金屬材料酸鹽等，常見于核能工業(yè)生產(chǎn)原材料、電子工業(yè)材料、半導體材料基本資料等，金屬單質(zhì)的金屬氧化物、用于配置標液和做為標準物質(zhì)，此類實驗試劑常規(guī)定成分在4N-6N中間。
潔凈電子器件純實驗試劑：
潔凈高純度實驗試劑是電子器件（IC）生產(chǎn)制造工序中的專用型化工品，用以硅片清洗、光刻技術(shù)、浸蝕工藝流程中。對這類高純度實驗試劑中可溶殘渣和固體顆粒規(guī)定十分嚴苛，為融入IC處理速度不斷提升的要求，國際性上半導體材料行業(yè)協(xié)會（SemiconductorIndustryAssociation）近期發(fā)布Semic7(合適0.8-1.2μm生產(chǎn)工藝)和Semic8(合適于0.2-0.6μm生產(chǎn)工藝)等級的實驗試劑檢測標準。在我國在原來MOS級、BV-I級實驗試劑的基本上，又制訂出BV-II級和BV-III級實驗試劑規(guī)范（等同于Semic7）。